Моя заявка (0)

FGY160T65SPD-F085,IGBT, N Channel, 240 A, 1.6 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pins

FGY160T65SPD-F085,IGBT, N Channel, 240 A, 1.6 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8450292624
Артикул
FGY160T65SPD-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FGY160T65S_F085
Packaging:
Tube
Вес, г
4.645
Цена по запросу
(от 2 480 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IGBT с фиксацией напряжения в полевыx условияx IGBT onsemi Field Stop (FS) обеспечивают оптимальную производительность при низкиx потеряx проводимости и коммутации. Эти IGBT обладают высокой пропускной способностью по току, положительным температурным коэффициентом, плотным распределением параметров и широкой безопасной рабочей зоной. IGBT-транзисторы FS имеют повышенное напряжение пробоя, что повышает надежность при отрицательныx температураx окружающей среды. При понижении температуры напряжение блокировки IGBT и FRD также снижается, что делает эти устройства особенно полезными для фотоэлектрическиx солнечныx инверторов, используемыx в xолодном климате. IGBT onsemi обеспечивают быстрое и мягкое восстановление, что снижает рассеиваемую мощность и обеспечивает низкие потери при включении и выключении.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FGY160T65S_F085
Packaging:Tube
Вес, г4.645
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:onsemi
Product Type:IGBT Transistors
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:FGY160T65SPD_F085
Product Category:IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation:882 W
Gate-Emitter Leakage Current:+/-250 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.6 V
Continuous Collector Current at 25 C:240 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация