FGH75T65SQDNL4,IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000886233
- Артикул
- FGH75T65SQDNL4
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 5.42
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 720 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 5.42 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 200 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.43 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 200 A |