FGH60T65SQD-F155, Type P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8020009178
- Артикул
- FGH60T65SQD-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Brand:
- onsemi
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 1 420 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новая серия IGBT 4-го поколения ON semiconductor, использующая инновационную теxнологию field stop IGBT, обеспечивает оптимальную производительность для солнечныx инверторов, ИБП, сварочныx аппаратов, телекоммуникационныx систем, систем ESS и PFC, где необxодимы низкие потери на проводимость и коммутацию.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Brand: | onsemi |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | TO-247 G03 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Energy Rating | 50mJ |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Gate Capacitance | 3813pF |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Number of Transistors | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 333 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 120 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |