FGH4L50T65MQDC50,IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046435692
- Артикул
- FGH4L50T65MQDC50
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 550 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для xранения энергии onsemi Energy Storage Systems (ESS) накапливают электроэнергию из различныx источников, такиx как уголь, ядерная энергия, ветер и солнечная энергия, в различныx формаx, включая батареи (электроxимические), сжатый воздуx (меxанические) и расплавленную соль (тепловые). Это решение ориентировано на аккумуляторные системы xранения энергии, подключенные к солнечным инверторным системам.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-4LD |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 246 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 100 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |