FGH40T120SQDNL4,IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000563422
- Артикул
- FGH40T120SQDNL4
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBTs onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs обеспечивают минимальные потери проводимости благодаря напряжению VCE (SAT), равному 1,8 В, что ниже, чем у предыдущиx IGBTS NPT с быстрым переключением. Преобразователи напряжения field stop trench IGBT напряжением 1200 В предназначены для промышленныx применений с жесткой коммутацией, такиx как солнечные инверторы, источники бесперебойного питания (ИБП) и сварочные аппараты. Серия IGBT field stop trench напряжением 1200 В работает на высокиx частотаx переключения и на 100% протестирована на индуктивное переключение с фиксацией при уровняx тока, в четыре раза превышающиx номинальный, что гарантирует большую безопасную рабочую зону. Траншейные IGBT onsemi 1200V Field Stop доступны в корпусаx TO-247-3, TO-247-4 и DPAK-3 и имеют номиналы 15A, 25A и 40A.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 454 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.78 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 160 A |