Моя заявка (0)

650V 10A, SiC Schottky Diode, 2-Pin TO-220F FFSPF1065A

650V 10A, SiC Schottky Diode, 2-Pin TO-220F FFSPF1065A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014506508
Артикул
FFSPF1065A
Бренд
ON Semiconductor***
Mounting
Through Hole
Rev Curr
200(uA)
Packaging
Rail/Tube
Pin Count
2
Цена по запросу
(от 1 640 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает кремнию превосxодные xарактеристики переключения и более высокую надежность.

Технические параметры

MountingThrough Hole
Rev Curr200(uA)
PackagingRail/Tube
Pin Count2
Diode TypeSiC Schottky
Вес, г1
Package TypeTO-220F
Rad HardenedNo
КорпусTO-220F
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Rectifier TypeSchottky Diode
Forward Current10000(mA)
Forward Voltage1.75(V)
Diode TechnologySiC Schottky
Peak Rep Rev Volt650(V)
Product Depth (mm)4.7(mm)
Diode ConfigurationSingle
Operating Temp Range-55C to 175C
Peak Forward Voltage1.75(V)
Peak Reverse Current200(uA)
Average Forward Current10А
Maximum Forward Current10000(mA)
Power Dissipation (Max)38000(mW)
Number of Elements per Chip1
Тип устройстваДиод Шоттки
Peak Reverse Repetitive Voltage650V
Repetitive Peak Reverse Voltage650В
Тип Монтажа ДиодаСквозное Отверстие
Peak Non-Repetitive Surge Current56(A)
Maximum Continuous Forward Current10A
Количество Выводов2 Вывода
Конфигурация диодаОдиночный
Operating Temperature ClassificationMilitary
Стиль Корпуса ДиодаTO-220FP
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current720A
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C-55…+175
Обратный ток утечки, мкА200
Материал полупроводникаКарбид кремния
Полный Емкостной Заряд Qc34нКл
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное прямое напряжение ,В1.75
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)10

Техническая документация