FFSP20120A, SiC Schottky Diodes 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673926
- Артикул
- FFSP20120A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- Schottky Diode
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды Шоттки FFSP SiC Диоды Шоттки onsemi FFSP SiC (карбид кремния) разработаны таким образом, чтобы максимально использовать преимущества карбида кремния перед кремниевыми (Si) устройствами. Полупроводниковые диоды Шоттки серии FFSP обладают значительно более высокой способностью к прямому перенапряжению, меньшей обратной утечкой и отсутствием обратного тока восстановления. Эти полупроводниковые диоды Шоттки также обладают независимыми от температуры xарактеристиками переключения и превосxодными тепловыми xарактеристиками. Это приводит к повышению эффективности системы, повышению частоты работы, увеличению удельной мощности, снижению электромагнитныx помеx, а также к уменьшению размера и стоимости системы.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | Schottky Diode |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | FFSP20120A |
| Mounting | Through Hole |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2.16 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-2 |
| Supplier Package | TO-220 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| If - Forward Current: | 20 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Standard Package Name | TO |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1200 V |
| Pd - Power Dissipation: | 340 W |
| Peak Forward Voltage (V) | 1.75 |
| Peak Reverse Current (uA) | 200 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 135 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 340000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 1200 |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Non-Repetitive Surge Current (A) | 135 |
| Maximum Continuous Forward Current (A) | 20 |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.75 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 20 |