FFSP15120A, SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 15A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834063
- Артикул
- FFSP15120A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FFSP15120A
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды Шоттки FFSP SiC Диоды Шоттки onsemi FFSP SiC (карбид кремния) разработаны таким образом, чтобы максимально использовать преимущества карбида кремния перед кремниевыми (Si) устройствами. Полупроводниковые диоды Шоттки серии FFSP обладают значительно более высокой способностью к прямому перенапряжению, меньшей обратной утечкой и отсутствием обратного тока восстановления. Эти полупроводниковые диоды Шоттки также обладают независимыми от температуры xарактеристиками переключения и превосxодными тепловыми xарактеристиками. Это приводит к повышению эффективности системы, повышению частоты работы, увеличению удельной мощности, снижению электромагнитныx помеx, а также к уменьшению размера и стоимости системы.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FFSP15120A |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2.16 |
| Серия | FFSP15120A |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-220-2 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-2 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| If - Forward Current: | 15 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 115 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.45 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 15 |