FFSP1265A, SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006214250
- Артикул
- FFSP1265A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Серия
- EliteSiC
- Корпус
- TO-220
- Продукт
- Schottky Silicon Carbide Diodes
Цена по запросу
(от 472,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды и выпрямители Шоттки 650V 12A SIC SBD
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | EliteSiC |
| Корпус | TO-220 |
| Продукт | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Упаковка | Tube |
| Емкость, пФ | 40 |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Average Forward Current | 12А |
| Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers |
| If - прямой ток | 12 A |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-2L |
| Ir - обратный ток | 200 uA |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие |
| Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки |
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-220 |
| Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
| Ifsm - ударный прямой ток | 70 A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Pd - рассеивание мощности | 115 W |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 40нКл |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.75 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 650 V |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 12 |