Моя заявка (0)

onsemI 650V 11A, SIC Schottky DIode, 2-PIn TO-220 FFSP1065B

onsemI 650V 11A, SIC Schottky DIode, 2-PIn TO-220 FFSP1065B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8052284044
Артикул
FFSP1065B
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
2
Diode Type
SiC Schottky
Вес, г
1.2
Серия
EliteSiC
Цена по запросу
(от 510 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые диоды Шоттки напряжением 650 В Диоды Шоттки onsemi из карбида кремния (SiC) напряжением 650 В обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Эти полупроводниковые диоды Шоттки не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. К преимуществам системы относятся высокая эффективность, высокая рабочая частота, высокая удельная мощность, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также меньший размер и стоимость системы.

Технические параметры

Pin Count2
Diode TypeSiC Schottky
Вес, г1.2
СерияEliteSiC
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Rectifier TypeSchottky Diode
Продукт:Schottky Silicon Carbide Diodes
Diode TechnologySiC Schottky
Упаковка:Tube
Diode ConfigurationSingle
Технология:SiC
Вид монтажа:Through Hole
Average Forward Current10А
Тип продукта:Schottky Diodes и Rectifiers
If - прямой ток:10 A
Конфигурация:Single
Подкатегория:Diodes и Rectifiers
Number of Elements per Chip1
Производитель:onsemi
Тип устройстваДиод Шоттки
Торговая марка:onsemi
Упаковка / блок:TO-220-2LD
Ir - обратный ток :500 nA
Peak Reverse Repetitive Voltage650V
Repetitive Peak Reverse Voltage650В
Тип Монтажа ДиодаСквозное Отверстие
Maximum Continuous Forward Current11A
Количество Выводов2 Вывода
Конфигурация диодаОдиночный
Категория продукта:Диоды и выпрямители Шоттки
Стиль Корпуса ДиодаTO-220
Vf - прямое напряжение:1.38 V
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current650A
Ifsm - ударный прямой ток:45 A
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Vr - обратное напряжение:650 V
Обратный ток утечки, мкА40
Pd - рассеивание мощности:75 W
Материал полупроводникаКарбид кремния
Полный Емкостной Заряд Qc25нКл
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное прямое напряжение ,В1.7
Максимальная рабочая температура:+175 C
Максимальное обратное напряжение (В)650
Vrrm - повторяющееся обратное напряжение:650 V
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)10
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:800

Техническая документация