Моя заявка (0)

FFSP1065B, SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 10A

FFSP1065B, SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 10A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004651472
Артикул
FFSP1065B
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
2
Diode Type
SiC Schottky
Вес, г
1.814
Серия
EliteSiC
Цена по запросу
(от 380,40 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые диоды Шоттки напряжением 650 В Диоды Шоттки onsemi из карбида кремния (SiC) напряжением 650 В обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Эти полупроводниковые диоды Шоттки не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. К преимуществам системы относятся высокая эффективность, высокая рабочая частота, высокая удельная мощность, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также меньший размер и стоимость системы.

Технические параметры

Pin Count2
Diode TypeSiC Schottky
Вес, г1.814
СерияEliteSiC
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Rectifier TypeSchottky Diode
Продукт:Schottky Silicon Carbide Diodes
Diode TechnologySiC Schottky
Упаковка:Tube
Diode ConfigurationSingle
Технология:SiC
Вид монтажа:Through Hole
Average Forward Current10А
Тип продукта:Schottky Diodes и Rectifiers
If - прямой ток:10 A
Конфигурация:Single
Подкатегория:Diodes и Rectifiers
Number of Elements per Chip1
Производитель:onsemi
Тип устройстваДиод Шоттки
Торговая марка:onsemi
Упаковка / блок:TO-220-2LD
Ir - обратный ток :500 nA
Peak Reverse Repetitive Voltage650V
Repetitive Peak Reverse Voltage650В
Тип Монтажа ДиодаСквозное Отверстие
Maximum Continuous Forward Current11A
Количество Выводов2 Вывода
Конфигурация диодаОдиночный
Категория продукта:Диоды и выпрямители Шоттки
Стиль Корпуса ДиодаTO-220
Vf - прямое напряжение:1.38 V
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current650A
Ifsm - ударный прямой ток:45 A
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Vr - обратное напряжение:650 V
Обратный ток утечки, мкА40
Pd - рассеивание мощности:75 W
Материал полупроводникаКарбид кремния
Полный Емкостной Заряд Qc25нКл
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное прямое напряжение ,В1.7
Максимальная рабочая температура:+175 C
Максимальное обратное напряжение (В)650
Vrrm - повторяющееся обратное напряжение:650 V
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)10
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:800

Техническая документация