FFSP1065B, SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 10A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651472
- Артикул
- FFSP1065B
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 2
- Diode Type
- SiC Schottky
- Вес, г
- 1.814
- Серия
- EliteSiC
Цена по запросу
(от 380,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые диоды Шоттки напряжением 650 В Диоды Шоттки onsemi из карбида кремния (SiC) напряжением 650 В обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Эти полупроводниковые диоды Шоттки не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. К преимуществам системы относятся высокая эффективность, высокая рабочая частота, высокая удельная мощность, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также меньший размер и стоимость системы.
Технические параметры
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 1.814 |
| Серия | EliteSiC |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Продукт: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Упаковка: | Tube |
| Diode Configuration | Single |
| Технология: | SiC |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Average Forward Current | 10А |
| Тип продукта: | Schottky Diodes и Rectifiers |
| If - прямой ток: | 10 A |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Diodes и Rectifiers |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | onsemi |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Торговая марка: | onsemi |
| Упаковка / блок: | TO-220-2LD |
| Ir - обратный ток : | 500 nA |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие |
| Maximum Continuous Forward Current | 11A |
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Категория продукта: | Диоды и выпрямители Шоттки |
| Стиль Корпуса Диода | TO-220 |
| Vf - прямое напряжение: | 1.38 V |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 650A |
| Ifsm - ударный прямой ток: | 45 A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Vr - обратное напряжение: | 650 V |
| Обратный ток утечки, мкА | 40 |
| Pd - рассеивание мощности: | 75 W |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 25нКл |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.7 |
| Максимальная рабочая температура: | +175 C |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение: | 650 V |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 800 |