FFSP1065A, Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002313154
- Артикул
- FFSP1065A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 554 ₽)
Минимальный заказ: 148 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбид кремния) onsemi Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбид кремния) обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Эти полупроводниковые диоды Шоттки не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. К преимуществам системы относятся высокая эффективность, высокая рабочая частота, высокая удельная мощность, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также меньший размер и стоимость системы.
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Brand: | onsemi |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-220 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-2 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Capacitance @ Vr, F | 575pF @ 1V, 100kHz |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 111 W |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 56 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 15A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 10 A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.75 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 15 |