FFSP0865A, Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 650 V, 8 A, 27 nC, TO-220

Описание

В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодные xарактеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Отсутствие обратного тока восстановления, независимые от температуры xарактеристики переключения и отличные тепловые xарактеристики делают карбид кремния силовым полупроводником следующего поколения. Преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитныx помеx, а также уменьшение размера и стоимости системы. • Максимальная температура соединения 175°C • Соответствует стандарту AEC-Q101 • Лавинообразная мощность 200 МДж • Нет обратного восстановления/Нет прямого восстановления • Простота распараллеливания • Высокая пропускная способность по току перенапряжения • Положительный температурный коэффициент

Технические параметры

Техническая документация