Моя заявка (0)

FFSP0665A, 650V SIngle 8.8A 1.5V@6A TO-220-2 Schottky BarrIer DIodes (SBD)

FFSP0665A, 650V SIngle 8.8A 1.5V@6A TO-220-2 Schottky BarrIer DIodes (SBD)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025169508
Артикул
FFSP0665A
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:
Tube
Вес, г
3.13
Цена по запросу
(от 280 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбид кремния) onsemi Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбид кремния) обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Эти полупроводниковые диоды Шоттки не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. К преимуществам системы относятся высокая эффективность, высокая рабочая частота, высокая удельная мощность, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также меньший размер и стоимость системы.

Технические параметры

Brand:onsemi
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:Tube
Вес, г3.13
СерияEliteSiC
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-220-2
Manufacturer:onsemi
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-2
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
If - Forward Current:6 A
Ir - Reverse Current:200 uA
Vf - Forward Voltage:1.5 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Factory Pack Quantity:800
Pd - Power Dissipation:65 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:42 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА200
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.5
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)6

Техническая документация