FFSM2065B, 0.5uA@650V 650V Single 1.38V@20A 23.4A PQFN-4 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062228396
- Артикул
- FFSM2065B
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 5
- Diode Type
- SiC Schottky
- Вес, г
- 0.32
- Серия
- EliteSiC
Цена по запросу
(от 685,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диодаx Шоттки из карбида кремния серии ON Semiconductor FFSM используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.
Технические параметры
| Pin Count | 5 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 0.32 |
| Серия | EliteSiC |
| Package Type | 2P, PQFN 8X8 |
| Корпус | PQFM88 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Configuration | Common Anode Pair+Common Cathode Pair |
| Average Forward Current | 20А |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Maximum Continuous Forward Current | 20A |
| Количество Выводов | 4 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | PQFN |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 51нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 20 |