Моя заявка (0)

FFSM0465A, SiC Schottky Diodes SiC Diode 650V 4A

FFSM0465A, SiC Schottky Diodes SiC Diode 650V 4A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005369311
Артикул
FFSM0465A
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Вес, г
5.4
Серия
EliteSiC
Цена по запросу
(от 336,51 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбид кремния) onsemi Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбид кремния) обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Эти полупроводниковые диоды Шоттки не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. К преимуществам системы относятся высокая эффективность, высокая рабочая частота, высокая удельная мощность, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также меньший размер и стоимость системы.

Технические параметры

Brand:onsemi
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Вес, г5.4
СерияEliteSiC
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусPQFN-5
Manufacturer:onsemi
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PQFN-5
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
If - Forward Current:4 A
Ir - Reverse Current:200 uA
Vf - Forward Voltage:1.5 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:43 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:21 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА200
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.5
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)4

Техническая документация