FFSH5065B-F085,Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 650 V, 50 A, 120 nC, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002428678
- Артикул
- FFSH5065B-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Grade
- Automotive
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
Цена по запросу
(от 2 960 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Brand: | onsemi |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | EliteSiC |
| Technology: | SiC |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-247 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-2 |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Qualification | AEC-Q101 |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Capacitance @ Vr, F | 2030pF @ 1V, 100kHz |
| Diode Configuration | Single |
| If - Forward Current: | 50 A |
| Ir - Reverse Current: | 40 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.38 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Pd - Power Dissipation: | 301 W |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Maximum Forward Voltage Drop | 2.4V |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 189 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 50A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 50 A |
| Maximum Continuous Forward Current | 50A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 50 |