Моя заявка (0)

FFSH50120A, SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD

FFSH50120A, SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005369309
Артикул
FFSH50120A
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Pin Count
2
Diode Type
SiC Schottky
Цена по запросу
(от 3 430 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды Шоттки FFSH SiC Диоды Шоттки onsemi из карбида кремния (SiC) onsemi FFSH обеспечивают повышенную эффективность системы и максимальную температуру переxода +175°C. Эти диоды Шоттки onsemi не имеют потерь при переключении и обладают высокой пропускной способностью по току перенапряжения. В диодаx FFSH используется полупроводниковый материал из карбида кремния для повышения рабочей частоты, увеличения удельной мощности и уменьшения размера/стоимости системы. Это обеспечивает высокую надежность и безотказную работу в условияx перенапряжения.

Технические параметры

Brand:onsemi
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Pin Count2
Diode TypeSiC Schottky
Packaging:Tube
Вес, г5.32
СерияEliteSiC
Technology:SiC
Package TypeTO-247
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-247
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Rectifier TypeSchottky Diode
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-2
Diode TechnologySiC Schottky
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
Diode ConfigurationSingle
If - Forward Current:50 A
Ir - Reverse Current:200 uA
Vf - Forward Voltage:1.45 V
Vr - Reverse Voltage:1.2 kV
Pd - Power Dissipation:736 W
Number of Elements per Chip1
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:280 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Peak Reverse Repetitive Voltage1200V
Maximum Continuous Forward Current77A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:1.2 kV
Конфигурация диодаОдиночный
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current1.7kA
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА200
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное обратное напряжение (В)1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)50

Техническая документация