FFSH50120A,Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 1.2 kV, 50 A, 252 nC, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000456001
- Артикул
- FFSH50120A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Pin Count
- 2
- Diode Type
- SiC Schottky
Цена по запросу
(от 3 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает кремнию превосxодные xарактеристики переключения и более высокую надежность.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6.999 |
| Серия | EliteSiC |
| Technology: | SiC |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-247 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-2 |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Diode Configuration | Single |
| If - Forward Current: | 50 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Pd - Power Dissipation: | 736 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 280 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
| Maximum Continuous Forward Current | 77A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 1.7kA |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 50 |