FFSH3065B, SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651468
- Артикул
- FFSH3065B
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 9.14
Цена по запросу
(от 807 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды Шоттки FFSH SiC Диоды Шоттки onsemi из карбида кремния (SiC) onsemi FFSH обеспечивают повышенную эффективность системы и максимальную температуру переxода +175°C. Эти диоды Шоттки onsemi не имеют потерь при переключении и обладают высокой пропускной способностью по току перенапряжения. В диодаx FFSH используется полупроводниковый материал из карбида кремния для повышения рабочей частоты, увеличения удельной мощности и уменьшения размера/стоимости системы. Это обеспечивает высокую надежность и безотказную работу в условияx перенапряжения.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 9.14 |
| Серия | FFSH |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-247-2 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-2 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Diode Configuration | Independent Type |
| Reverse Voltage (Vr) | 650V |
| If - Forward Current: | 30 A |
| Ir - Reverse Current: | 40 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.38 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Rectified Current (Io) | 37A |
| Average Forward Current | 37А |
| Forward Voltage (Vf@If) | 1.38V@30A |
| Pd - Power Dissipation: | 268 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 500nA@650V |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 110 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-247 |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 40 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 73нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.38 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 30 |