FFSH3065A, SiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651467
- Артикул
- FFSH3065A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- FFSH3065A
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Pin Count
- 2
Цена по запросу
(от 1 118,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбидокремниевые) Диоды Шоттки onsemi на 650 В EliteSiC (карбидокремниевые) обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Эти полупроводниковые диоды Шоттки не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. К преимуществам системы относятся высокая эффективность, высокая рабочая частота, высокая удельная мощность, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также меньший размер и стоимость системы.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | FFSH3065A |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| Серия | EliteSiC |
| Technology: | SiC |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-247 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-2 |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Diode Configuration | Single |
| Емкость, пФ | 100 |
| If - Forward Current: | 30 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Pd - Power Dissipation: | 259 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 150 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Maximum Continuous Forward Current | 30A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 1.125kA |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 30 |