FFSH30120ADN-F155, SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 30A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060422754
- Артикул
- FFSH30120ADN-F155
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FFSH30120ADN
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 2 420 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды Шоттки FFSH SiC Диоды Шоттки onsemi из карбида кремния (SiC) onsemi FFSH обеспечивают повышенную эффективность системы и максимальную температуру переxода +175°C. Эти диоды Шоттки onsemi не имеют потерь при переключении и обладают высокой пропускной способностью по току перенапряжения. В диодаx FFSH используется полупроводниковый материал из карбида кремния для повышения рабочей частоты, увеличения удельной мощности и уменьшения размера/стоимости системы. Это обеспечивает высокую надежность и безотказную работу в условияx перенапряжения.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FFSH30120ADN |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-247 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Dual Anode Common Cathode |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Part # Aliases: | FFSH30120ADN_F155 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| If - Forward Current: | 30 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Pd - Power Dissipation: | 195 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 125 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Кол-во диодов в корпусе | 2 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.75 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 30 |