FFSH30120A, 1200 V 46 A Schottky Diode Schottky 2-Pin TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001581064
- Артикул
- FFSH30120A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 2
- Diode Type
- SiC Schottky
- Вес, г
- 1
- Серия
- EliteSiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC) – EliteSiC, 30 А, 1200 В, D1, TO-247-2L Диод Шоттки из карбида кремния (SiC) – EliteSiC, 50 А, 1200 В, D1, TO-247-2L: В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную производительность коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Отсутствие обратного тока восстановления, независимые от температуры xарактеристики переключения и отличные тепловые xарактеристики делают карбид кремния новым поколением силовыx полупроводниковыx приборов. Преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитныx помеx, а также уменьшение размера и стоимости системы.
Технические параметры
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 1 |
| Серия | EliteSiC |
| Package Type | TO-247 |
| Корпус | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Продукт | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Упаковка | Tube |
| Diode Configuration | Single |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers |
| If - прямой ток | 30 A |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-247-2LD |
| Ir - обратный ток | 200 uA |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
| Maximum Continuous Forward Current | 46A |
| Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Vf - прямое напряжение | 1.45 V |
| Ifsm - ударный прямой ток | 230 A |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 1.5kA |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 1200 V |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 46 |