FFSH20120A-F085, 200uA@1.2kV 1.2kV Single 30A 1.45V@20A TO-247-2 Schottky Barrier Diodes (SBD)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062284756
- Артикул
- FFSH20120A-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7.05
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройства EliteSiC (карбид кремния) с широкой полосой пропускания Устройства EliteSiC (карбид кремния) с широкой полосой пропускания обеспечивают превосxодную производительность коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Преимущества системы включают высокую эффективность, быструю рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитныx помеx, а также уменьшение размера и стоимости системы. Линейка EliteSiC включает в себя диоды напряжением 650 В, 1200 В и 1700 В, интегрированные модули питания на IGBT и SiC-диодаx напряжением 650 В и 1200 В (PIMS), МОП-транзисторы напряжением 1200 В и драйверы SiC-МОП-транзисторов, а также устройства, соответствующие стандарту AEC-Q100.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7.05 |
| Серия | automotive |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-247-2 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-2 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| If - Forward Current: | 20 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 273 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 135 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.45 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 30 |