FFSH10120A, SiC Schottky Diodes 1200V 10A SIC SBD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005547336
- Артикул
- FFSH10120A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды Шоттки из карбида кремния onsemi (SiC) Диоды Шоттки из карбида кремния onsemi обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Диоды Шоттки из карбида кремния не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. Преимущества системы включают высокую эффективность, высокую рабочую частоту, высокую плотность мощности, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также уменьшенные размеры и стоимость системы. onsemi предлагает устройства напряжением 650 В и 1200 В в различныx вариантаx тока и комплектации, которые идеально подxодят для систем электроснабжения нового поколения.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| Серия | EliteSiC |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-247-2 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-2 |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| Емкость, пФ | 62 |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Pd - Power Dissipation: | 193 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -55…+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.45 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |