Моя заявка (0)

FFSD1065B-F085, SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5

FFSD1065B-F085, SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005369292
Артикул
FFSD1065B-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Вес, г
0.33
Серия
EliteSiC
Цена по запросу
(от 374,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбид кремния) onsemi Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбид кремния) обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Эти полупроводниковые диоды Шоттки не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. К преимуществам системы относятся высокая эффективность, высокая рабочая частота, высокая удельная мощность, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также меньший размер и стоимость системы.

Технические параметры

Brand:onsemi
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Вес, г0.33
СерияEliteSiC
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусDPAK-3(TO-252-3)
Manufacturer:onsemi
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
If - Forward Current:10 A
Ir - Reverse Current:40 uA
Vf - Forward Voltage:1.38 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:98 W
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА40
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.38
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)10

Техническая документация