FFSD08120A, SiC Schottky Diodes 1200V 8A SIC SBD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369288
- Артикул
- FFSD08120A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Diode Type
- SiC Schottky
- Вес, г
- 1
- Серия
- EliteSiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодные xарактеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Отсутствие обратного тока восстановления, независимые от температуры xарактеристики переключения и отличные тепловые xарактеристики делают карбид кремния силовым полупроводником следующего поколения. Преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитныx помеx, а также уменьшение размера и стоимости системы. • Максимальная температура соединения 175°C • Соответствует стандарту AEC-Q101 • Лавинообразная мощность 200 МДж • Нет обратного восстановления/Нет прямого восстановления • Простота распараллеливания • Высокая пропускная способность по току перенапряжения • Положительный температурный коэффициент
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 1 |
| Серия | EliteSiC |
| Package Type | TO-252 |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Configuration | Single |
| Average Forward Current | 8А |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.2кВ |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Maximum Continuous Forward Current | 22.5A |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-252 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 530A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 55нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.75 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 8 |