Моя заявка (0)

FFSD0665B-F085, SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5

FFSD0665B-F085, SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD GEN1.5

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005369287
Артикул
FFSD0665B-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Diode Type
SiC Schottky
Вес, г
0.4
Серия
EliteSiC
Цена по запросу
(от 266,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.

Технические параметры

Pin Count3
Diode TypeSiC Schottky
Вес, г0.4
СерияEliteSiC
Package TypeDPAK
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Rectifier TypeSchottky Diode
Diode TechnologySiC Schottky
Diode ConfigurationSingle
Average Forward Current6А
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Тип устройстваДиод Шоттки
Peak Reverse Repetitive Voltage650V
Repetitive Peak Reverse Voltage650В
Тип Монтажа ДиодаSMD(Поверхностный Монтаж)
Maximum Continuous Forward Current9.1A
Количество Выводов3 Вывода
Конфигурация диодаОдиночный
Стиль Корпуса ДиодаTO-252
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Материал полупроводникаКарбид кремния
Полный Емкостной Заряд Qc16нКл
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)6

Техническая документация