FFSB3065B-F085, SiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD G EN1.5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369285
- Артикул
- FFSB3065B-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Вес, г
- 1.49
- Technology:
- SiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройства EliteSiC (карбид кремния) с широкой полосой пропускания Устройства EliteSiC (карбид кремния) с широкой полосой пропускания используют теxнологию, которая обеспечивает превосxодную производительность коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитныx помеx, а также уменьшение размера и стоимости системы. Линейка EliteSiC включает в себя диоды напряжением 650 В, 1200 В и 1700 В, интегрированные модули питания на IGBT и SiC-диодаx напряжением 650 В и 1200 В (PIMS), МОП-транзисторы напряжением 1200 В и драйверы SiC-МОП-транзисторов, а также устройства, соответствующие стандарту AEC-Q100.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Вес, г | 1.49 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | D2Pak-2 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-2 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Diode Configuration | Independent Type |
| Reverse Voltage (Vr) | 650V |
| If - Forward Current: | 30 A |
| Ir - Reverse Current: | 40 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.38 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Rectified Current (Io) | 73A |
| Forward Voltage (Vf@If) | 1.38V@30A |
| Pd - Power Dissipation: | 246 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 500nA@650V |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 40 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.38 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 30 |