Моя заявка (0)

FFSB3065B, 650V SIngle 1.38V@30A 73A TO-263 Schottky BarrIer DIodes (SBD)

FFSB3065B, 650V SIngle 1.38V@30A 73A TO-263 Schottky BarrIer DIodes (SBD)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025174268
Артикул
FFSB3065B
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Вес, г
0.5
Серия
EliteSiC
Цена по запросу
(от 1 500 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбидокремниевые) Диоды Шоттки onsemi на 650 В EliteSiC (карбидокремниевые) обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Эти полупроводниковые диоды Шоттки не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. К преимуществам системы относятся высокая эффективность, высокая рабочая частота, высокая удельная мощность, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также меньший размер и стоимость системы.

Технические параметры

Brand:onsemi
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Вес, г0.5
СерияEliteSiC
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-263
Manufacturer:onsemi
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-2
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
Емкость, пФ74
If - Forward Current:30 A
Ir - Reverse Current:40 uA
Vf - Forward Voltage:1.7 V
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.38
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)73

Техническая документация