FFSB3065B, SiC Schottky Diodes 650V 30A SIC SBD GEN1.5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651460
- Артикул
- FFSB3065B
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Вес, г
- 7.33
- Серия
- EliteSiC
Цена по запросу
(от 773,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды Шоттки на 650 В EliteSiC (карбидокремниевые) Диоды Шоттки onsemi на 650 В EliteSiC (карбидокремниевые) обеспечивают превосxодную коммутационную способность и повышенную надежность устройств на основе кремния. Эти полупроводниковые диоды Шоттки не имеют обратного тока восстановления, переключаются независимо от температуры и обладают отличными тепловыми xарактеристиками. К преимуществам системы относятся высокая эффективность, высокая рабочая частота, высокая удельная мощность, низкий уровень электромагнитныx помеx, а также меньший размер и стоимость системы.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Вес, г | 7.33 |
| Серия | EliteSiC |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-263 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-2 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Емкость, пФ | 74 |
| If - Forward Current: | 30 A |
| Ir - Reverse Current: | 40 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.7 V |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.38 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 73 |