FFSB2065B-F085,Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 650 V, 22.8 A, 51 nC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001718956
- Артикул
- FFSB2065B-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Вес, г
- 0.4
- Серия
- EliteSiC
Цена по запросу
(от 978 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Вес, г | 0.4 |
| Серия | EliteSiC |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-263 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-2 |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| If - Forward Current: | 20 A |
| Ir - Reverse Current: | 40 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.38 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 153 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 84 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 22.8 |