FFSB20120A-F085, 200uA@1.2kV 1.2kV Single 1.45V@20A 32A TO-263-2 Schottky Barrier Diodes (SBD)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067883247
- Артикул
- FFSB20120A-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.55
- Average Forward Current
- 20А
- Квалификация
- AEC-Q101
- Repetitive Peak Reverse Voltage
- 1.2кВ
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодные xарактеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Отсутствие обратного тока восстановления, независимые от температуры xарактеристики переключения и отличные тепловые xарактеристики делают карбид кремния силовым полупроводником следующего поколения. Преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитныx помеx, а также уменьшение размера и стоимости системы. • Максимальная температура соединения 175°C • Соответствует стандарту AEC-Q101 • Лавинообразная мощность 200 МДж • Нет обратного восстановления/Нет прямого восстановления • Простота распараллеливания • Высокая пропускная способность по току перенапряжения • Положительный температурный коэффициент
Технические параметры
| Вес, г | 1.55 |
| Average Forward Current | 20А |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.2кВ |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Стиль Корпуса Диода | TO-263 |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 120нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |