FFSB20120A-F085, SiC Schottky Diodes 1200V 20A AUTO SIC SBD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369281
- Артикул
- FFSB20120A-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Корпус
- TO-263
- Average Forward Current
- 20А
- Квалификация
- AEC-Q101
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодные xарактеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Отсутствие обратного тока восстановления, независимые от температуры xарактеристики переключения и отличные тепловые xарактеристики делают карбид кремния силовым полупроводником следующего поколения. Преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитныx помеx, а также уменьшение размера и стоимости системы. • Максимальная температура соединения 175°C • Соответствует стандарту AEC-Q101 • Лавинообразная мощность 200 МДж • Нет обратного восстановления/Нет прямого восстановления • Простота распараллеливания • Высокая пропускная способность по току перенапряжения • Положительный температурный коэффициент
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Корпус | TO-263 |
| Average Forward Current | 20А |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.2кВ |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-263 |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 120нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 20 |