FFSB1065B-F085, SiC Schottky Diodes 650V 10A SIC SBD G EN1.5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062284679
- Артикул
- FFSB1065B-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.49
- Серия
- EliteSiC
- Корпус
- TO-263
- Продукт
- Schottky Silicon Carbide Diodes
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды и выпрямители Шоттки 650V 10A SIC SBD G EN1.5
Технические параметры
| Вес, г | 1.49 |
| Серия | EliteSiC |
| Корпус | TO-263 |
| Продукт | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Average Forward Current | 10А |
| Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers |
| If - прямой ток | 27 A |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ir - обратный ток | 0.5 uA |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-263 |
| Vf - прямое напряжение | 1.38 V |
| Ifsm - ударный прямой ток | 45 A |
| Vr - обратное напряжение | 650 V |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Pd - рассеивание мощности | 79 W |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 25нКл |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 650 V |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |