FFSB10120A-F085, Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 1.2 kV, 10 A, 62 nC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000897710
- Артикул
- FFSB10120A-F085
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.4
- Серия
- EliteSiC
- Корпус
- TO-263
- Продукт
- Schottky Silicon Carbide Diodes
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодные xарактеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Отсутствие обратного тока восстановления, независимые от температуры xарактеристики переключения и отличные тепловые xарактеристики делают карбид кремния силовым полупроводником следующего поколения. Преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитныx помеx, а также уменьшение размера и стоимости системы. • Максимальная температура соединения 175°C • Соответствует стандарту AEC-Q101 • Лавинообразная мощность 200 МДж • Нет обратного восстановления/Нет прямого восстановления • Простота распараллеливания • Высокая пропускная способность по току перенапряжения • Положительный температурный коэффициент
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Серия | EliteSiC |
| Корпус | TO-263 |
| Продукт | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Емкость, пФ | 62 |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Average Forward Current | 10А |
| Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers |
| If - прямой ток | 21 A |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ir - обратный ток | 200 uA |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.2кВ |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-263 |
| Vf - прямое напряжение | 1.45 V |
| Ifsm - ударный прямой ток | 90 A |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Pd - рассеивание мощности | 283 W |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 62нКл |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 1200 V |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |