FFSB10120A, SiC Schottky Diodes SIC TO263 SBD 10A 1 200V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004651459
- Артикул
- FFSB10120A
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Серия
- EliteSiC
- Корпус
- TO-263
- Продукт
- Schottky Silicon Carbide Diodes
Цена по запросу
(от 775,43 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды и выпрямители Шоттки SIC TO263 SBD 10A 1 200V
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | EliteSiC |
| Корпус | TO-263 |
| Продукт | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Упаковка | Reel |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | Schottky Diodes Rectifiers |
| If - прямой ток | 21 A |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ir - обратный ток | 200 uA |
| Категория продукта | Диоды и выпрямители Шоттки |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Vf - прямое напряжение | 1.45 V |
| Ifsm - ударный прямой ток | 90 A |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Pd - рассеивание мощности | 283 W |
| Обратный ток утечки, мкА | 200 |
| Ограничения на доставку | Для осуществления экспорта данного продукта из США |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.45 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Vrrm - повторяющееся обратное напряжение | 1200 V |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |