Моя заявка (0)

FFSB0865B-F085, Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 650 V, 8 A, 22 nC

FFSB0865B-F085, Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 650 V, 8 A, 22 nC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002392277
Артикул
FFSB0865B-F085
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
2+Tab
Diode Type
SiC Schottky
Вес, г
0.4
Серия
EliteSiC
Цена по запросу
(от 608 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды и выпрямители Шоттки 650V 8A SIC SBD GEN1.5

Технические параметры

Pin Count2+Tab
Diode TypeSiC Schottky
Вес, г0.4
СерияEliteSiC
Package TypeD2PAK
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
Rectifier TypeSchottky Diode
ПродуктSchottky Silicon Carbide Diodes
Diode TechnologySiC Schottky
Diode ConfigurationSingle
ТехнологияSiC
Вид монтажаSMD/SMT
Average Forward Current8А
Maximum Forward Current10.1A
Тип продуктаSchottky Diodes Rectifiers
If - прямой ток30 A
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияDiodes Rectifiers
Number of Elements per Chip1
Тип устройстваДиод Шоттки
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокD2PAK-2 (TO-263-2)
Ir - обратный ток0.5 uA
Maximum Forward Voltage Drop2.4V
Peak Reverse Repetitive Voltage650V
Repetitive Peak Reverse Voltage650В
Тип Монтажа ДиодаSMD(Поверхностный Монтаж)
Maximum Continuous Forward Current10.1A
Категория продуктаДиоды и выпрямители Шоттки
Количество Выводов3 Вывода
Конфигурация диодаОдиночный
Стиль Корпуса ДиодаTO-263
Vf - прямое напряжение1.39 V
Ifsm - ударный прямой ток56 A
Vr - обратное напряжение650 V
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Pd - рассеивание мощности73 W
Материал полупроводникаКарбид кремния
Полный Емкостной Заряд Qc22нКл
Размер фабричной упаковки800
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное обратное напряжение (В)650
Vrrm - повторяющееся обратное напряжение650 V
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)8

Техническая документация