FFSB0865B, SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369274
- Артикул
- FFSB0865B
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Pin Count
- 3
- Diode Type
- SiC Schottky
- Technology
- SiC(Silicon Carbide)Schottky
Цена по запросу
(от 366 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Pin Count | 3 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 1 |
| Серия | GEN1.5 |
| Package Type | D2PAK |
| Корпус | TO-263-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Capacitance @ Vr, F | 336pF @ 1V, 100kHz |
| Diode Configuration | Single |
| Supplier Device Package | TO-263(D2PAK) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10.1A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Maximum Continuous Forward Current | 10.1A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 577A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 8 |