onsemI 650V 8A, SIC Schottky DIode, 3-PIn D2PAK FFSB0665B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063997852
- Артикул
- FFSB0665B
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Diode Type
- SiC Schottky
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- EliteSiC
Цена по запросу
(от 319,01 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диодаx Шоттки из карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную коммутационную способность и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | EliteSiC |
| Package Type | D2PAK |
| Корпус | D2PAK-2L |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Configuration | Single |
| Average Forward Current | 6А |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Maximum Continuous Forward Current | 8A |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Стиль Корпуса Диода | TO-263 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 523A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 16нКл |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 6 |