FF900R17ME7B11BPSA1, IGBT Module, Dual [Half Bridge], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
![FF900R17ME7B11BPSA1, IGBT Module, Dual [Half Bridge], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module](https://static.epl-electro.ru/lib/192/DOC026192076.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014321855
- Артикул
- FF900R17ME7B11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 10
- Корпус
- Module
- Структура
- полумост
- Number of Transistors
- 2
Цена по запросу
(от 70 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль Infineon EconoDUAL™ 3 1700 В, 900 Вт, оснащенный двойным модулем TRENCHSTOP™ IGBT7 с 7 диодами, управляемыми излучателем, NTC и контактной теxнологией PressFIT.
Технические параметры
| Вес, г | 10 |
| Корпус | Module |
| Структура | полумост |
| Number of Transistors | 2 |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 900 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | 175 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 900 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1700 |