FF900R12IP4, IGBT Transistors / Modules ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048308285
- Артикул
- FF900R12IP4
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Длина
- 172 mm
- Серия
- Trenchstop IGBT4 - P4
- Вес, кг
- 1.03
- Высота
- 38 mm
Цена по запросу
(от 76 160 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Технические параметры
| Длина | 172 mm |
| Серия | Trenchstop IGBT4 - P4 |
| Вес, кг | 1.03 |
| Высота | 38 mm |
| Корпус | AG-PRIME2 |
| Ширина | 89 mm |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Структура | полумост |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PRIME2 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Pd - рассеивание мощности | 5.1 kW |
| Другие названия товара № | SP000609750 FF900R12IP4BOSA2 |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP PrimePACK |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Размер фабричной упаковки | 3 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 900 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 900 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 5.1 kW |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |