FF800R12KE7EHPSA1, Infineon IGBT / 800 A ±20V max. Dual, 1200 V, 3-Pin AG-62MMHB N-Kanal
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063900319
- Артикул
- FF800R12KE7EHPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 0.82
Цена по запросу
(от 40 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 0.82 |
| Technology: | IGBT7-E7 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Part # Aliases: | FF800R12KE7_E SP005568685 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |