FF800R12KE3NOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.2KA 3900W 10-Pin IHM130-2 Tray
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038822347
- Артикул
- FF800R12KE3NOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- No
- Mounting
- Screw
- Packaging
- Tray
- Pin Count
- 10
Цена по запросу
(от 221 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный IGBT-модуль N-CH 1200 В 1,2 КА 3900 Вт, 10-контактный лоток IHM130-2
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 10 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 335 |
| PCB changed | 10 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Type | N |
| Корпус | Module |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 130 |
| Package Length | 140 |
| Supplier Package | IHM130-2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3900 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 1200 |
| Typical Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.7 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 3900 |