FF75R12W1T7EB11BPSA1,IGBT Module, Dual, 65 A, 1.55 V, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046491699
- Артикул
- FF75R12W1T7EB11BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Mounting
- Screw
- Packaging
- Tray
- Pin Count
- 23
- Вес, г
- 0.001
Цена по запросу
(от 8 420 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный IGBT-модуль N-CH 1200V 65A с 23-контактным лотком
Технические параметры
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Pin Count | 23 |
| Вес, г | 0.001 |
| PCB changed | 23 |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N |
| Корпус | Module |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 33.8 |
| Package Length | 62.8 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 65 |
| Рабочая температура (Tj), °C | 175 |
| Typical Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.55 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 65 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |