FF600R12KT4HOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V AG-62MM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014577363
- Артикул
- FF600R12KT4HOSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 54 450 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный IGBT-модуль Infineon dual fast trench с ограничителем xода IGBT4 и 4 диодами, управляемыми излучателем. Высочайшая плотность мощности
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | AG-62MM |
| Subcategory: | IGBTs |
| Вес, кг | 1.5 |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Chassis |
| Part # Aliases: | FF600R12KT4 SP005342974 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Number of Transistors | 2 |
| Transistor Configuration | Series |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Maximum Continuous Collector Current | 600 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 600 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |