Моя заявка (0)

FF600R12KT4HOSA1,IGBT Module, Dual, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module

FF600R12KT4HOSA1,IGBT Module, Dual, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008257566
Артикул
FF600R12KT4HOSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Product:
IGBT Silicon Modules
Packaging:
Tray
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 50 520 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двойные IGBT-модули напряжением 1200 В Модули Infineon 1200V Dual IGBT - это модули EconoDUAL™ dual TRENCHSTOP™ IGBT7 мощностью 3 1200 В и 900 А с 7 диодами, управляемыми излучателем, NTC и контактной теxнологией PressFIT. IGBT-модули обеспечивают более высокий выxодной ток инвертора при том же размере кадра и исключают распараллеливание. Двойные IGBT-модули Infineon 1200 В обеспечивают простую и надежную сборку с высокой надежностью взаимного подключения.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Product:IGBT Silicon Modules
Packaging:Tray
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeAG-62MM
Subcategory:IGBTs
Вес, кг1.5
КорпусModule
ConfigurationDual
Manufacturer:Infineon
Product Type:IGBT Modules
Configuration:Dual
Mounting Style:Chassis
Part # Aliases:FF600R12KT4 SP005342974
Product Category:IGBT Modules
Number of Transistors2
Transistor ConfigurationSeries
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Gate-Emitter Leakage Current:400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Maximum Continuous Collector Current600 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.75 V
Continuous Collector Current at 25 C:600 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10
Рабочая температура (Tj), °C150
Максимальный ток КЭ при 25°C, A600
Максимальное напряжение КЭ ,В1200

Техническая документация