FF600R12KE7EHPSA1,IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module
![FF600R12KE7EHPSA1,IGBT Module, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Module](https://static.epl-electro.ru/lib/810/DOC027810431.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046433303
- Артикул
- FF600R12KE7EHPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 340
Цена по запросу
(от 36 190 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 340 |
| Technology: | IGBT7-E7 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Part # Aliases: | FF600R12KE7_E SP005568704 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Структура | полумост |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Рабочая температура (Tj), °C | 175 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 600 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |