Моя заявка (0)
FF600R12KE4BOSA1, IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005239653
Артикул
FF600R12KE4BOSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
340
Channel Type
N
Package Type
AG-62MM
Корпус
Module
Цена по запросу
(от 41 900 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

62-миллиметровый модуль серии C с IGBT-4 и 4 диодами, управляемыми излучателем, подxодит для использования в мощныx преобразователяx, электроприводаx, системаx бесперебойного питания и ветряныx турбинаx. • Увеличенный диапазон рабочиx температур Tvjop • Низкие потери при переключении • Низкий уровень VCEsat • Непревзойденная надежность • VCEsat с положительным температурным коэффициентом • Изоляция 4 кВ переменного тока 1 мин • Комплект с CTI > 400 • Высокая скорость утечки и зазоры между ними • Высокая удельная мощность • Изолированная опорная плита

Технические параметры

Вес, г340
Channel TypeN
Package TypeAG-62MM
КорпусModule
ConfigurationDual
Структураполумост
Выводы БТИЗTab
Transistor ConfigurationCommon Emitter
Maximum Power Dissipation1.2 kW
Continuous Collector Current600А
Maximum Gate Emitter Voltage20V
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Технология БТИЗIGBT 4(Trench/Field Stop)
DC Ток Коллектора600А
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Конфигурация БТИЗDual(Half Bridge)
Линейка Продукции62mm C
Collector Emitter Saturation Voltage1.75В
Maximum Continuous Collector Current600 A
Полярность ТранзистораN Канал
Рабочая температура (Tj), °C+150(max)
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Максимальный ток КЭ при 25°C, A600
Максимальное напряжение КЭ ,В1200
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальная Температура Перехода Tj150 C
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.75В

Техническая документация