FF450R45T3E4B5BPSA1,IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 2.35 V, 1500 kW, 150 °C, Module
![FF450R45T3E4B5BPSA1,IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 2.35 V, 1500 kW, 150 °C, Module](https://static.epl-electro.ru/lib/710/DOC060710774.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046439671
- Артикул
- FF450R45T3E4B5BPSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 2
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 402 600 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Корпус | Module |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Part # Aliases: | FF450R45T3E4_B5 SP005915046 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Структура | полумост |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 MW |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 4.5 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.35 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 450 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | 150 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 450 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 4500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 1500000 |